TPSI2260QDWQRQ1

Texas Instruments
595-TPSI2260QDWQRQ1
TPSI2260QDWQRQ1

Herst.:

Beschreibung:
Halbleiterrelais - PCB-Montage Automotive 600V 50m A isolated switch wi

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2.69 CHF 67.25 CHF
2.37 CHF 237.00 CHF
2.25 CHF 562.50 CHF
2.02 CHF 1 010.00 CHF
1.71 CHF 1 710.00 CHF
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Texas Instruments
Produktkategorie: Halbleiterrelais - PCB-Montage
Reel
Cut Tape
MouseReel
SMD/SMT
SOIC-11
MOSFET
5 mA
- 40 C
+ 125 C
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Input-Output-Isolierungsmethode: Reinforced Isolation
Isolierungsspannung: 1500 Vrms
On-Widerstand - Max.: 150 Ohms
Pd - Verlustleistung: 30.5 mW
Produkt: Solid State Relay
Produkt-Typ: SSR - Solid State Relays
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Relays
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Ausgewählte Attribute: 0

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

TPSI2260-Q1 Verstärktes Solid-State-Relais

Das verstärkte Solid-State-Relais TPSI2260-Q1 von Texas Instruments ist für Hochspannungs-Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen ausgelegt. Das isolierte Solid-State-Relais implementiert hochzuverlässige, verstärkte kapazitive Isolierungstechnologie, die mit internen Back-to-Back-MOSFETs kombiniert ist, um eine vollständig integrierte Lösung zu bilden, die keine sekundäre Stromversorgung benötigt. Die kapazitive Isolierungstechnologie von TI weist weder mechanischen Verschleiß noch Photodegradation-Fehlermodi auf, die bei mechanischen Relais und Fotorelais üblich sind, wodurch die Zuverlässigkeit des Systems verbessert wird. Die Primärseite des TPSI2260-Q1 zieht nur 5-mA-Eingangsstrom und verfügt über einen ausfallsicheren EN-Pin, der eine Rückspeisung der VDD-Versorgung verhindert. Der VDD-Pin des Bauteils sollte an eine Systemversorgung zwischen 4,5 V und 20 V angeschlossen werden, und der EN-Pin sollte in den meisten Applikationen von einem GPIO-Ausgang mit einem Logikschaltung zwischen 2,1 V und 20 V angesteuert werden. Darüber hinaus können in anderen Applikationen die VDD- und EN-Pins gemeinsam direkt von der Systemversorgung oder von einem GPIO- Ausgang angesteuert werden. Auf der Sekundärseite befinden sich Back-to-Back-MOSFETs mit einer Sperrspannung von ±600 V zwischen S1 bis S2.