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TPS1101DR

Name: Texas Instruments TPS1101DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS1101DR
Price: 1.06 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-TPS1101DR

Herst.- Nr.:

TPS1101DR

Herst.:

Texas Instruments

Datenblatt:

ECAD Model:

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Herst. Teilenr.:

Verpackung:

Tube

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

3.27 CHF

Min:

Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

TPS1101D

Beschreibung:

MOSFETs Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101DR

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	15 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	90 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, 2 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	11.25 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	791 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4.3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.5 ns
Serie:	TPS1101
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.5 ns
Gewicht pro Stück:	74 mg