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LMG3526R050RQSR

Name: Texas Instruments LMG3526R050RQSR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3526R050RQSR
Price: 14.85 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3526R050RQSR

Herst.- Nr.:

LMG3526R050RQSR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 650-V 50-m? GaN FET with integrated driv

Datenblatt:

LMG3526R050RQSR Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	14.85 CHF	14.85 CHF
	11.21 CHF	112.10 CHF
	10.81 CHF	270.25 CHF
	9.81 CHF	981.00 CHF
	9.56 CHF	2 390.00 CHF
	9.48 CHF	4 740.00 CHF
	9.47 CHF	9 470.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	8.16 CHF	16 320.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	GaN FET
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-52
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG3526R050
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Eingangsspannung – Max:	18 V
Eingangsspannung – Min:	7.5 V
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs

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Datenblatt

LMG3526R050RQSR Datenblatt

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

LMG3526R050 650 V GaN-FET

Texas Instrument LMG3526R050 650 V GaN-FET mit integriertem Treiber und Schutz zielt auf Schaltnetzteil-Leistungswandler ab und ermöglicht Entwicklern das Erreichen neuer Leistungsdichte- und Effizienzniveaus. Der LMG3526R050 integriert einen Siliziumtreiber, der Schaltgeschwindigkeiten bis zu 150 V/ns ermöglicht. TI bietet eine integrierte Präzisions-Gate-Vorspannung, was zu einem höheren Schalt-SOA als diskrete Silizium-Gate-Treiber führt. Diese Integration sorgt in Kombination mit dem Niedriginduktivitätspaket von TI für minimales Klingeln und sauberes Schalten in hart schaltenden Stromversorgungstopologien. Die einstellbare Gate-Antriebsstärke ermöglicht die Steuerung der Anstiegsgeschwindigkeit von 15V/ns bis 150V/ns. Diese Steuerung kann zur Steuerung von EMI und zur aktiven Optimierung der Schaltleistung verwendet werden.