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LMG3522R030RQST

Name: Texas Instruments LMG3522R030RQST
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3522R030RQST
Price: 23.57 CHF
Availability: LimitedAvailability

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3522R030RQST

Herst.- Nr.:

LMG3522R030RQST

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 650-V 30-m? GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting 52-VQFN -40 to 150

Lebenszyklus:

Beschränkte Verfügbarkeit:

Diese Teilenummer ist derzeit nicht bei Mouser erhältlich. Das Produkt wird eventuell eingeschränkt vertrieben oder es handelt sich um eine Sonderbestellung ab Werk.

Datenblatt:

LMG3522R030RQST Datenblatt

ECAD Model:

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Auf Lager: 4

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-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	23.57 CHF	23.57 CHF
	20.59 CHF	205.90 CHF
	19.99 CHF	1 999.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	19.54 CHF	4 885.00 CHF
	19.33 CHF	9 665.00 CHF
2 500	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Driver ICs - Various
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-52
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Versorgungsspannung - Min.:	7.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	4.3 ns
Abfallzeit:	22 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG3522R030
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Kenndaten und Eigenschaften:	Robust Protection
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	69 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	54 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	15.5 mA
Ausgangsspannung:	5 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	26 mOhms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Ausgewählte Attribute: 0

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Datenblatt

LMG3522R030RQST Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650-V-GaN-FETs mit 30 mΩ

Die 650-V-GaN-FETs mit 30 mΩ LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 von Texas Instruments enthalten einen integrierten Treiber und Schutzfunktionen für Schaltmodus-Leistungswandler. Der LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 enthält einen Siliziumtreiber, der Schaltgeschwindigkeiten von bis zu 150 V/ns ermöglicht. Das Bauteil implementiert die integrierte Präzisions-Gate-Vorspannung von TI, was im Vergleich zu diskreten Silizium-Gate-Treibern zu einem höheren Schalt-SOA führt. Diese Integration zusammen mit dem Gehäuse mit niedriger Induktivität von TI bietet ein sauberes Schalten und ein minimales Überschwingen in hartschaltenden Stromversorgungstopologien. Eine einstellbare Gate-Antriebsstärke ermöglicht die Steuerung der Anstiegsrate von 20 V/ns bis 150 V/ns, die aktiv zur Steuerung von EMI und zur Optimierung der Schaltleistung verwendet werden kann.