LMG2610RRGR

Texas Instruments
595-LMG2610RRGR
LMG2610RRGR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 650-V 170/248-m? GaN half-bridge for ACF

ECAD Model:
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
9.99 CHF 9.99 CHF
7.85 CHF 78.50 CHF
7.31 CHF 182.75 CHF
6.71 CHF 671.00 CHF
6.68 CHF 1 670.00 CHF
6.45 CHF 3 225.00 CHF
6.38 CHF 6 380.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
5.90 CHF 11 800.00 CHF
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
REACH - SVHC:
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-40
2 Driver
2 Output
3 A
7.5 V
26 V
Non-Inverting
14.9 ns
12.5 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG2610
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Entwicklungs-Kit: UCC28782EVM-030
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 43 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 12.5 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsspannung: 19.95 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 170 mOhms
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Produkte gefunden:
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

LMG2610 GaN-Halbbrücken-IC

Das GaN-Halbbrücken-IC LMG2610 von Texas Instruments ist eine 650-V-GaN-Leistungs-FET-Halbbrücke für Active-Clamp-Flyback (ACF)-Wandler in Applikationen für die Leistungsversorgung mit < 75 W. Das Bauteil LMG2610 reduziert die Anzahl der erforderlichen Bauteile, vereinfacht das Design und reduziert den Platzbedarf auf der Platine, indem Gate-Treiber-Halbbrücken-Leistungs-FETs, eine Bootstrap-Diode und ein High-Side-Gate-Drive-Pegelwandler in einem 9 mm x 7 mm großen QFN-Gehäuse integriert werden. Die asymmetrischen GaN-FET-Widerstände sind für ACF-Betriebsbedingungen optimiert. Programmierbare Einschalt-Anstiegsraten ermöglichen die EMI- und Schaltüberschwing-Kontrolle. Die Low-Side-Strommesswiderstand-Emulation verringert die Verlustleistung im Vergleich zu herkömmlichen Strommesswiderständen. Dadurch kann der Low-Side-Wärme-Pad mit der Masse der Kühl-PCB verbunden werden.