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LMG1205YFXR

Name: Texas Instruments LMG1205YFXR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG1205YFXR
Price: 2.86 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG1205YFXR

Herst.- Nr.:

LMG1205YFXR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 1.2-A 5-A 90-V hal f bridge gate driver A 595-LMG1205YFXT

Datenblatt:

LMG1205YFXR Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.86 CHF	2.86 CHF
	2.16 CHF	21.60 CHF
	1.97 CHF	49.25 CHF
	1.79 CHF	179.00 CHF
	1.69 CHF	422.50 CHF
	1.67 CHF	835.00 CHF
	1.62 CHF	1 620.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1.52 CHF	4 560.00 CHF
	1.51 CHF	9 060.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

LMG1205YFXT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

3.37 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

LMG1205YFXT

Beschreibung:

Gate-Treiber 1.2-A 5-A 90-V hal f bridge gate driver A 595-LMG1205YFXR

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-12
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	5 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Anstiegszeit:	7 ns
Abfallzeit:	3.5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG1205
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	50 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	50 ns
Betriebsversorgungsstrom:	2 mA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	GaN
Gewicht pro Stück:	3,400 mg

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LMG1205 TINA-TI Reference Design (Rev. A)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Galliumnitrid (GaN)

Die Galliumnitrid-(GaN)-Lösungen von Texas Instruments bieten einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte und Zuverlässigkeit. Die GaN-Produktfamilie von Texas Instruments besteht aus Controllern, Treibern und Reglern und bietet eine durchgehende Leistungsumwandlung mit reduzierter Leistungsaufnahme und 5-MHz-Schaltfrequenzen.

LMG1205 Halbbrücken-Gatetreiber

Der Halbbrücken-Gate-Treiber LMG1205 von Texas Instruments wurde entwickelt, um sowohl High-Side- als auch Low-Side-Erweiterungsmodus-Galliumnitrid-(GaN)-FETs in einer synchronen Abwärts- oder Halbbrücken-Konfiguration anzusteuern. Das Bauteil verfügt über eine integrierte 100 V-Bootstrap-Diode und unabhängige Eingänge für die High-Side- und Low-Side-Ausgänge für maximale Steuerungsflexibilität. Die High-Side-Vorspannung wird mit einer Bootstrap-Technik erzeugt und ist intern bei 5 V geklemmt. Diese Klemmspannung verhindert, dass die Gate-Spannung den maximalen Gate-Source-Spannungswert der Verstärkungsmodus-GaN-FETs überschreitet. Die Eingänge der LMG1205 sind TTL-Logik-kompatibel und können unabhängig von der VDD-Spannung, Eingangsspannungen bis zu 14 V widerstehen. Der LMG1205 verfügt über Split-Gate-Ausgänge und bietet Flexibilität, um die Einschalt- und Abschaltfestigkeit unabhängig einzustellen.

LMG1025/LMG1025-Q1 Half-Bridge-GaN-Treiber

Der Half-Bridge-GaN-Treiber LMG1025/LMG1025-Q1 von Texas Instruments ist für die Ansteuerung von Galliumnitrid-FETs im High-Side- und Low-Side-Anreicherungsmodus in einer synchronen Abwärts-, Aufwärts- oder Halbbrücken-Konfiguration ausgelegt. Das Bauelement verfügt über eine integrierte 100-V-Bootstrap-Diode und unabhängige Eingänge für die High-Side- und Low-Side-Ausgänge für maximale Steuerungsflexibilität. Die High-Side-Vorspannung wird mit einer Bootstrap-Technik erzeugt. Er ist intern auf 5 V geklemmt, was verhindert, dass die Gate-Spannung die maximale Gate-Source-Spannung von GaN-FETs im Anreicherungsmodus überschreitet. Die Eingänge des LMG1205/LMG1025-Q1 sind TTL-Logik-kompatibel und können unabhängig von der VDD-Spannung Eingangsspannungen bis zu 14 V vertragen. Der LMG1205/LMG1205-Q1 verfügt über Split-Gate-Ausgänge, die die Flexibilität bieten, die Ein- und Ausschaltstärke unabhängig voneinander einzustellen.