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LMG1025QDRVRQ1

Name: Texas Instruments LMG1025QDRVRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG1025QDRVRQ1
Price: 5.45 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG1025QDRVRQ1

Herst.- Nr.:

LMG1025QDRVRQ1

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber Automotive 7-A/5-A s ingle-channel low-s

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

LMG1025QDRVRQ1 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Typ:	Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-6
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	7 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.25 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	650 ps
Abfallzeit:	850 ps
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG1025-Q1
Verpackung:	Reel
Marke:	Texas Instruments
Kenndaten und Eigenschaften:	Automotive
Eingangsspannung – Max:	5.25 V
Eingangsspannung – Min:	4.75 V
Betriebsversorgungsstrom:	51 mA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	4.4 ns
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LMG1025QDRVRQ1 Datenblatt

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Konformitätscodes

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

LMG1025/LMG1025-Q1 Half-Bridge-GaN-Treiber

Der Half-Bridge-GaN-Treiber LMG1025/LMG1025-Q1 von Texas Instruments ist für die Ansteuerung von Galliumnitrid-FETs im High-Side- und Low-Side-Anreicherungsmodus in einer synchronen Abwärts-, Aufwärts- oder Halbbrücken-Konfiguration ausgelegt. Das Bauelement verfügt über eine integrierte 100-V-Bootstrap-Diode und unabhängige Eingänge für die High-Side- und Low-Side-Ausgänge für maximale Steuerungsflexibilität. Die High-Side-Vorspannung wird mit einer Bootstrap-Technik erzeugt. Er ist intern auf 5 V geklemmt, was verhindert, dass die Gate-Spannung die maximale Gate-Source-Spannung von GaN-FETs im Anreicherungsmodus überschreitet. Die Eingänge des LMG1205/LMG1025-Q1 sind TTL-Logik-kompatibel und können unabhängig von der VDD-Spannung Eingangsspannungen bis zu 14 V vertragen. Der LMG1205/LMG1205-Q1 verfügt über Split-Gate-Ausgänge, die die Flexibilität bieten, die Ein- und Ausschaltstärke unabhängig voneinander einzustellen.