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LM2105DR

Name: Texas Instruments LM2105DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LM2105DR
Price: 0.74 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LM2105DR

Herst.- Nr.:

LM2105DR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 107-V 0.5-A/0.8-A ha lf-bridge gate driv

Datenblatt:

LM2105DR Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.745 CHF	0.75 CHF
	0.536 CHF	5.36 CHF
	0.482 CHF	12.05 CHF
	0.424 CHF	42.40 CHF
	0.396 CHF	99.00 CHF
	0.38 CHF	190.00 CHF
	0.368 CHF	368.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.349 CHF	1 047.00 CHF
	0.336 CHF	2 016.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Versorgungsspannung - Min.:	5 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Anstiegszeit:	28 ns
Abfallzeit:	18 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LM2105
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Logiktyp:	CMOS, TTL
Betriebsversorgungsstrom:	560 uA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LM2105DR Datenblatt

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LM2105 Halbbrücken-Gate-Treiber

Der LM2105 Halbbrücken-Gate-Treiber von Texas Instruments ist ein kompakter Hochspannungs-Gate-Treiber, der für die Ansteuerung von High-Side- und Low-Side-n-Kanal-MOSFETs in einer synchronen Abwärts- oder Halbbrücken-Konfiguration ausgelegt ist. Die integrierte Bootstrap-Diode spart Platz auf dem Board und reduziert die Systemkosten, da keine externe diskrete Diode erforderlich ist.