INA819IDRGR

Texas Instruments
595-INA819IDRGR
INA819IDRGR

Herst.:

Beschreibung:
Instrumentenverstärker Low power (350-uA) p recision instrument A 595-INA819IDRGT

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 4.63 CHF 4.63
CHF 3.55 CHF 35.50
CHF 3.27 CHF 81.75
CHF 2.98 CHF 298.00
CHF 2.83 CHF 707.50
CHF 2.75 CHF 1 375.00
CHF 2.68 CHF 2 680.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 2.60 CHF 7 800.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Preis:
CHF 5.45
Min:
1

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Instrumentenverstärker Low power (350-uA) p recision instrument A 595-INA819IDRGR

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Instrumentenverstärker
RoHS:  
INA819
1 Channel
2 MHz
900 mV/us
140 dB
150 pA
35 uV
36 V
4.5 V
385 uA
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
SON-8
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
en - Eingangsspannungsrauschdichte: 8 nV/sqrt Hz
Verstärkungsfehler: 0.05 %
Verstärkung V/V: 10000 V/V
In - Eingangsrauschen-Stromdichte: 130 fA/sqrt Hz
Ios - Eingangs-Offset-Strom: 150 pA
Ausgangsstrom pro Kanal: 20 mA
Produkt: Instrumentation Amplifiers
Produkt-Typ: Instrumentation Amplifiers
PSRR - Versorgungsspannungsunterdrückungsverhältnis: 140 dB
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Amplifier ICs
Produkte gefunden:
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Ausgewählte Attribute: 0

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CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

INA819 Instrumentenverstärker mit hoher Genauigkeit

Der Texas Instruments INA819 Instrumentenverstärker mit hoher Genauigkeit bietet einen geringen Stromverbrauch und arbeitet über einen großen Einzel- oder Dual-Versorgungsbereich. Über einen einzelnen externen Widerstand lassen sich Verstärkungsfaktoren von 1 bis 1.000 einstellen. Das Bauteil verfügt aufgrund der Super-Beta-Eingangstransistoren, die eine niedrige Eingangs-Offset-Spannung, eine niedrige Offsetspannungs-Drift, einen Eingangs-Bias-Strom und eine Eingangsspannung und Stromrauschen bieten, über eine hohe Genauigkeit. Eine zusätzliche Schaltung schützt die Eingänge gegen Überspannung von bis zu ±60 V.