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DRV8300DIPWR

Name: Texas Instruments DRV8300DIPWR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV8300DIPWR
Price: 1.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-DRV8300DIPWR

Herst.- Nr.:

DRV8300DIPWR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 100-V max simple 3-p hase gate driver wi

Datenblatt:

DRV8300DIPWR Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.30	CHF 1.30
	CHF 0.81	CHF 8.10
	CHF 0.705	CHF 17.63
	CHF 0.553	CHF 55.30
	CHF 0.489	CHF 122.25
	CHF 0.439	CHF 219.50
	CHF 0.398	CHF 398.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.361	CHF 1 083.00
	CHF 0.321	CHF 1 926.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSSOP-20
Anzahl der Treiber:	3 Driver
Anzahl der Ausgänge:	6 Output
Ausgangsstrom:	750 mA
Versorgungsspannung - Min.:	5 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Konfiguration:	Inverting
Anstiegszeit:	24 ns
Abfallzeit:	12 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	DRV8300
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Entwicklungs-Kit:	DRV8300DIPW-EVM
Logiktyp:	CMOS
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	180 ns
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Application Notes

PCN

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

DRV8300/DRV8300-Q1 Dreiphasen-Gate-Treiber

Die DRV8300/DRV8300-Q1 Dreiphasen-Gate-Treiber von Texas Instruments bieten drei Halbbrücken-Gate-Treiber, die jeweils High- und Low-Side-n-Kanal-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern können. Der DRV8300D/DRV8300D-Q1 erzeugt die richtigen Gate-Drive-Spannungen mit einer integrierten Bootstrap-Diode und einem externen Kondensator für die High-Side-MOSFETs. Der DRV8300N erzeugt die richtigen Gate-Drive-Spannungen mit einer externen Bootstrap-Diode und einem externen Kondensator für die High-Side-MOSFETs. GVDD wird zur Erzeugung einer Gate-Drive-Spannung für die Low-Side-MOSFETs verwendet. Die DRV8300/DRV8300-Q1 Gate-Drive-Architektur von Texas Instruments unterstützt einen Quellen-Spitzenstrom von bis zu 750 mA und einen Senkenstrom von 1,5 A.