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CSD88599Q5DC

Name: Texas Instruments CSD88599Q5DC
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88599Q5DC
Price: 4.12 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD88599Q5DC

Herst.- Nr.:

CSD88599Q5DC

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 60-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88599Q5DCT

Datenblatt:

CSD88599Q5DC Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	4.12 CHF	4.12 CHF
	2.74 CHF	27.40 CHF
	1.96 CHF	196.00 CHF
	1.87 CHF	935.00 CHF
	1.76 CHF	1 760.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	1.74 CHF	4 350.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-22
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.4 V
Qg - Gate-Ladung:	43 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	12 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	20 ns
Serie:	CSD88599Q5DC
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	100,600 mg

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CNHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

CSD88599Q5DC 60 V-Halbbrücken-NexFET-Energieblock

Der CSD88599Q5DC 60V-Halbbrücken-NexFET-Energieblock von Texas Instruments ist ein optimiertes Design für Hochstrom-Motorsteuerungs-Applikationen. Diese Applikationen umfassen tragbare, kabellose Garten- und Elektrowerkzeuge. Der CSD88599Q5DC nutzt die patentierte Stapelmodelltechnologie von TI, um parasitäre Induktivitäten zu minimieren und gleichzeitig eine komplette Halbbrücke zu bieten. Das Bauteil ist in einem platzsparenden, thermisch verbesserten Cool™-Gehäuse von 5 mm × 6 mm untergebracht. Mit einer freiliegenden Metalldeckschicht, ermöglicht dieses Energieblock-Bauelement eine einfache Kühlkörper-Applikation, um Wärme durch die Oberseite des Gehäuses und weg von der Leiterplatte zu leiten. Dieses Design ermöglicht eine hervorragende Wärmeleistung bei höheren Strömen, die von vielen Motorsteuerungsapplikationen gefordert wird.