CSD87502Q2

Texas Instruments
595-CSD87502Q2
CSD87502Q2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2T

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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.405 CHF 0.41
CHF 0.253 CHF 2.53
CHF 0.204 CHF 20.40
CHF 0.195 CHF 97.50
CHF 0.184 CHF 184.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.17 CHF 510.00
CHF 0.166 CHF 996.00
CHF 0.161 CHF 1 449.00
CHF 0.16 CHF 3 840.00
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-FET-6
N-Channel
2 Channel
30 V
5 A
35 mOhms
- 20 V, 20 V
1.6 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
2.3 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 75 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 11 ns
Serie: CSD87502Q2
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 3 ns
Gewicht pro Stück: 9.700 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
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TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.