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CSD87334Q3DT

Name: Texas Instruments CSD87334Q3DT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87334Q3DT
Price: 1.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD87334Q3DT

Herst.- Nr.:

CSD87334Q3DT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs Sync Buck NexFET Pow er Block A 595-CSD8 A 595-CSD87334Q3D

Datenblatt:

CSD87334Q3DT Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.34	CHF 1.34
	CHF 0.891	CHF 8.91
	CHF 0.717	CHF 71.70
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 0.717	CHF 179.25
	CHF 0.68	CHF 340.00
	CHF 0.641	CHF 641.00
	CHF 0.625	CHF 1 562.50
	CHF 0.621	CHF 3 105.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD87334Q3D

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.85

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD87334Q3D

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87334Q3DT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.3 mOhms, 8.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	750 mV
Qg - Gate-Ladung:	8.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Entwicklungs-Kit:	VSON
Abfallzeit:	17 ns, 17 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	62 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns, 7 ns
Serie:	CSD87334Q3D
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	11 ns, 11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4 ns, 4 ns
Gewicht pro Stück:	76 mg

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Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.