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CSD85301Q2T

Name: Texas Instruments CSD85301Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD85301Q2T
Price: 1.39 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD85301Q2T

Herst.- Nr.:

CSD85301Q2T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2

Datenblatt:

CSD85301Q2T Datenblatt

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.39 CHF	1.39 CHF
	0.907 CHF	9.07 CHF
	0.519 CHF	51.90 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0.519 CHF	129.75 CHF
	0.443 CHF	221.50 CHF
	0.402 CHF	402.00 CHF
	0.388 CHF	970.00 CHF
	0.368 CHF	1 840.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD85301Q2

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0.69 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD85301Q2

Beschreibung:

MOSFETs CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-FET-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	27 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	600 mV
Qg - Gate-Ladung:	5.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	15 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	26 ns
Serie:	CSD85301Q2
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	14 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns
Gewicht pro Stück:	9,700 mg

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