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CSD75208W1015

Name: Texas Instruments CSD75208W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD75208W1015
Price: 0.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD75208W1015

Herst.- Nr.:

CSD75208W1015

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD75208W1015T

Datenblatt:

CSD75208W1015 Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.634 CHF	0.63 CHF
	0.402 CHF	4.02 CHF
	0.259 CHF	25.90 CHF
	0.195 CHF	97.50 CHF
	0.169 CHF	169.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.152 CHF	456.00 CHF
	0.139 CHF	834.00 CHF
	0.125 CHF	1 125.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD75208W1015T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1.44 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD75208W1015T

Beschreibung:

MOSFETs 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	68 mOhms, 108 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	500 mV
Qg - Gate-Ladung:	2.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	750 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	7.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	CSD75208W1015
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	29 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	1,400 mg

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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