CSD25484F4

Texas Instruments
595-CSD25484F4
CSD25484F4

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25484F4T

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CHF 0.209 CHF 2.09
CHF 0.135 CHF 13.50
CHF 0.107 CHF 53.50
CHF 0.095 CHF 95.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.08 CHF 240.00
CHF 0.073 CHF 438.00
CHF 0.061 CHF 549.00
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Preis:
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1

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RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
20 V
2.5 A
825 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
1.09 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 8.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 3.5 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: CSD25484F4
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9.5 ns
Gewicht pro Stück: 0.400 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
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JPHTS:
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TARIC:
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MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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