CSD25310Q2

Texas Instruments
595-CSD25310Q2
CSD25310Q2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.454 CHF 0.45
CHF 0.286 CHF 2.86
CHF 0.192 CHF 19.20
CHF 0.157 CHF 78.50
CHF 0.14 CHF 140.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.119 CHF 357.00
CHF 0.109 CHF 654.00
CHF 0.095 CHF 855.00
CHF 0.092 CHF 2 208.00
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Preis:
CHF 0.45
Min:
1

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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-6
P-Channel
1 Channel
20 V
20 A
23.9 mOhms
- 8 V, 8 V
550 mV
3.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2.9 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 15 ns
Serie: CSD25310Q2
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8 ns
Gewicht pro Stück: 6 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

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