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CSD25211W1015

Name: Texas Instruments CSD25211W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25211W1015
Price: 0.7 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD25211W1015

Herst.- Nr.:

CSD25211W1015

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs PCh NexFET Power MOS FET

Datenblatt:

CSD25211W1015 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.705	CHF 0.71
	CHF 0.433	CHF 4.33
	CHF 0.284	CHF 28.40
	CHF 0.237	CHF 118.50
	CHF 0.214	CHF 214.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.177	CHF 531.00
	CHF 0.149	CHF 894.00
	CHF 0.133	CHF 1 197.00
	CHF 0.128	CHF 3 072.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	44 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	800 mV
Qg - Gate-Ladung:	3.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.8 ns
Serie:	CSD25211W1015
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	36.9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13.6 ns
Gewicht pro Stück:	1.700 mg

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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Texas Instruments NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind für den niedrigsten Einschaltwiderstand und die niedrigste Gate-Ladung in den kleinstmöglichen Abmessungen mit ausgezeichneten thermischen Eigenschaften in einem extrem niedrigen Profil ausgelegt. Diese NexFET MOSFETs bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und extrem niedrige Qg und Qgd sowie einen kleinen Footprint von 1,0 mm x 1,5 mm.