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CSD23382F4

Name: Texas Instruments CSD23382F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23382F4
Price: 0.34 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD23382F4

Herst.- Nr.:

CSD23382F4

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs P-Channel MOSFET A 5 95-CSD23382F4T A 59 A 595-CSD23382F4T

Datenblatt:

CSD23382F4 Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.341 CHF	0.34 CHF
	0.208 CHF	2.08 CHF
	0.133 CHF	13.30 CHF
	0.10 CHF	50.00 CHF
	0.088 CHF	88.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.074 CHF	222.00 CHF
	0.066 CHF	396.00 CHF
	0.056 CHF	504.00 CHF
	0.055 CHF	1 320.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD23382F4T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1.13 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD23382F4T

Beschreibung:

MOSFETs P-Ch NexFET Power MO SFET A 595-CSD23382 A 595-CSD23382F4

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	76 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	500 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.04 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	CSD1FPCHEVM-890
Abfallzeit:	41 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	CSD23382F4
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	66 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns
Gewicht pro Stück:	0,400 mg

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CSD23382F4 Datenblatt

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Function Diagram

PCN

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Technical Resources

CSD23382F4 TINA-TI Transient Reference Design

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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