CSD23381F4T

Texas Instruments
595-CSD23381F4T
CSD23381F4T

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 12V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4

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CHF 0.391 CHF 39.10
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CHF 0.391 CHF 97.75
CHF 0.294 CHF 147.00
CHF 0.264 CHF 264.00
CHF 0.256 CHF 640.00
CHF 0.253 CHF 1 265.00
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Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Texas Instruments
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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
12 V
2.3 A
970 mOhms
- 8 V, 8 V
950 mV
1.14 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 2 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 3.9 ns
Serie: CSD23381F4
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4.5 ns
Gewicht pro Stück: 0.400 mg
Produkte gefunden:
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8542390990
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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