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CSD23381F4T

Name: Texas Instruments CSD23381F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23381F4T
Price: 1.13 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD23381F4T

Herst.- Nr.:

CSD23381F4T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 12V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4

Datenblatt:

CSD23381F4T Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.13 CHF	1.13 CHF
	0.715 CHF	7.15 CHF
	0.409 CHF	40.90 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0.409 CHF	102.25 CHF
	0.349 CHF	174.50 CHF
	0.313 CHF	313.00 CHF
	0.299 CHF	747.50 CHF
	0.294 CHF	1 470.00 CHF
	0.29 CHF	2 900.00 CHF
	0.285 CHF	7 125.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD23381F4

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0.31 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD23381F4

Beschreibung:

MOSFETs 12V P-CH FemtoFET MO SFET A 595-CSD23381 A 595-CSD23381F4T

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	970 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	950 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.14 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3.9 ns
Serie:	CSD23381F4
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4.5 ns
Gewicht pro Stück:	0,400 mg

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ECCN:: EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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