CSD23285F5

Texas Instruments
595-CSD23285F5
CSD23285F5

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5T

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.511 CHF 0.51
CHF 0.313 CHF 3.13
CHF 0.203 CHF 20.30
CHF 0.153 CHF 76.50
CHF 0.135 CHF 135.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.117 CHF 351.00
CHF 0.105 CHF 630.00
CHF 0.091 CHF 819.00
CHF 0.087 CHF 2 088.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Auf Lager
Preis:
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Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
12 V
3.3 A
80 mOhms
- 6 V, 6 V
950 mV
4.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.4 W
Enhancement
PicoStar
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 8.9 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: CSD23285F5
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns
Gewicht pro Stück: 0.700 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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