CSD23280F3T

Texas Instruments
595-CSD23280F3T
CSD23280F3T

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 2 916

Lagerbestand:
2 916 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 1.07 CHF 1.07
CHF 0.681 CHF 6.81
CHF 0.391 CHF 39.10
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
CHF 0.391 CHF 97.75
CHF 0.333 CHF 166.50
CHF 0.298 CHF 298.00
CHF 0.285 CHF 712.50
CHF 0.257 CHF 1 285.00
CHF 0.253 CHF 2 530.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 0.28
Min:
1

Ähnliches Produkt

Texas Instruments CSD23280F3
Texas Instruments
MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23280F3T

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
12 V
1.8 A
250 mOhms
- 6 V, 6 V
950 mV
950 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
PicoStar
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 3 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4 ns
Serie: CSD23280F3
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8 ns
Gewicht pro Stück: 0.300 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
Weitere Informationen