CSD23203WT

Texas Instruments
595-CSD23203WT
CSD23203WT

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs CSD23203W 8V P-Ch Ne xFET Power MOSFET A A 595-CSD23203W

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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-6
P-Channel
1 Channel
8 V
3 A
53 mOhms
- 6 V, 6 V
800 mV
4.9 nC
- 55 C
+ 150 C
750 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Abfallzeit: 27 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 12 ns
Serie: CSD23203W
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 58 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 14 ns
Gewicht pro Stück: 1,700 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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