CSD23202W10

Texas Instruments
595-CSD23202W10
CSD23202W10

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 0.502 CHF 0.50
CHF 0.313 CHF 3.13
CHF 0.20 CHF 20.00
CHF 0.152 CHF 76.00
CHF 0.134 CHF 134.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.115 CHF 345.00
CHF 0.105 CHF 630.00
CHF 0.089 CHF 801.00
CHF 0.087 CHF 2 088.00
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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1

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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-4
P-Channel
1 Channel
12 V
2.2 A
92 mOhms
- 6 V, 6 V
900 mV
3.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 5.6 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4 ns
Serie: CSD23202W10
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 58 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9 ns
Gewicht pro Stück: 200 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
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TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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