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CSD22206WT

Name: Texas Instruments CSD22206WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22206WT
Price: 1.64 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD22206WT

Herst.- Nr.:

CSD22206WT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W

Datenblatt:

CSD22206WT Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.64 CHF	1.64 CHF
	1.05 CHF	10.50 CHF
	0.616 CHF	61.60 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0.616 CHF	154.00 CHF
	0.531 CHF	265.50 CHF
	0.48 CHF	480.00 CHF
	0.462 CHF	1 155.00 CHF
	0.456 CHF	2 280.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD22206W

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0.85 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD22206W

Beschreibung:

MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-9
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	8 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	700 mV
Qg - Gate-Ladung:	14.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	45 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17 ns
Serie:	CSD22206W
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	118 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	37 ns
Gewicht pro Stück:	200 mg

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CSD22206W TINA-TI Reference Design

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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