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CSD22204W

Name: Texas Instruments CSD22204W
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD22204W
Price: 0.7 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD22204W

Herst.- Nr.:

CSD22204W

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT

Datenblatt:

CSD22204W Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.705 CHF	0.71 CHF
	0.442 CHF	4.42 CHF
	0.287 CHF	28.70 CHF
	0.22 CHF	110.00 CHF
	0.198 CHF	198.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.171 CHF	513.00 CHF
	0.157 CHF	942.00 CHF
	0.153 CHF	1 377.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD22204WT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1.40 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD22204WT

Beschreibung:

MOSFETs 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-9
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	8 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	950 mV
Qg - Gate-Ladung:	24.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	CSD22204W
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Gewicht pro Stück:	2,500 mg

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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