CSD22204W

Texas Instruments
595-CSD22204W
CSD22204W

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 2 990

Lagerbestand:
2 990 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
0.721 CHF 0.72 CHF
0.451 CHF 4.51 CHF
0.293 CHF 29.30 CHF
0.225 CHF 112.50 CHF
0.203 CHF 203.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
0.174 CHF 522.00 CHF
0.16 CHF 960.00 CHF
0.156 CHF 1 404.00 CHF
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
1.43 CHF
Min:
1

Ähnliches Produkt

Texas Instruments CSD22204WT
Texas Instruments
MOSFETs 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-9
P-Channel
1 Channel
8 V
5 A
14 mOhms
- 6 V, 6 V
950 mV
24.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1.7 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: PH
Land der Verbreitung: CN
Ursprungsland: PH
Produkt-Typ: MOSFETs
Serie: CSD22204W
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Gewicht pro Stück: 2,500 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Texas Instruments NexFET p-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind für den niedrigsten Einschaltwiderstand und die niedrigste Gate-Ladung in den kleinstmöglichen Abmessungen mit ausgezeichneten thermischen Eigenschaften in einem extrem niedrigen Profil ausgelegt. Diese NexFET MOSFETs bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand und extrem niedrige Qg und Qgd sowie einen kleinen Footprint von 1,0 mm x 1,5 mm.