CSD19538Q3AT

Texas Instruments
595-CSD19538Q3AT
CSD19538Q3AT

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A

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CHF 0.584 CHF 146.00
CHF 0.495 CHF 247.50
CHF 0.445 CHF 445.00
CHF 0.437 CHF 1 092.50
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Verpackung:
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
15 A
61 mOhms
- 20 V, 20 V
3.2 V
4.3 nC
- 55 C
+ 150 C
2.8 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 2 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 3 ns
Serie: CSD19538Q3A
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5 ns
Gewicht pro Stück: 27.300 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
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JPHTS:
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TARIC:
8541290000
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ECCN:
EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.