CSD19537Q3

Texas Instruments
595-CSD19537Q3
CSD19537Q3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 4 037

Lagerbestand:
4 037 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 1.20 CHF 1.20
CHF 0.826 CHF 8.26
CHF 0.546 CHF 54.60
CHF 0.478 CHF 239.00
CHF 0.437 CHF 437.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.392 CHF 980.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 1.73
Min:
1

Ähnliches Produkt

Texas Instruments CSD19537Q3T
Texas Instruments
MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
50 A
14.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 3 ns
Serie: CSD19537Q3
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5 ns
Gewicht pro Stück: 24 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CSD19537Q3 N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments CSD19537Q3 NexFET™ N-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind 100V 12,1mΩ NexFET N-Kanal-Leistungs-MOSFETs die entwickelt wurden, um Verluste bei Stromumwandlungsanwendungen zu minimieren. Dieser MOSFET verfügt über einen extrem geringen Qg und Qgd mit niedrigem Wärmewiderstand. Er ist außerdem Avalanche-bewertet und wird in einem bleifreien, halogenfreien SON-8 Kunststoffgehäuse von 3,3mmx3,3mm geliefert und ist RoHS-konform. Zu den typischen Anwendungen gehören isolierte Primärseiten-Wandler und Motorantriebe.
Weitere Informationen

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.