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CSD19536KTT

Name: Texas Instruments CSD19536KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19536KTT
Price: 4.18 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD19536KTT

Herst.- Nr.:

CSD19536KTT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT

Datenblatt:

CSD19536KTT Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	4.18 CHF	4.18 CHF
	2.90 CHF	29.00 CHF
	2.08 CHF	208.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 500)
	1.88 CHF	940.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD19536KTTT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

5.81 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD19536KTTT

Beschreibung:

MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	272 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Qg - Gate-Ladung:	118 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	329 S
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	CSD19536KTT
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns
Gewicht pro Stück:	2,200 g