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CSD19531Q5AT

Name: Texas Instruments CSD19531Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19531Q5AT
Price: 2.66 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD19531Q5AT

Herst.- Nr.:

CSD19531Q5AT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 100V 5.3mOhm NexFET Power MOSFET A 595-C A 595-CSD19531Q5A

Datenblatt:

CSD19531Q5AT Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.66 CHF	2.66 CHF
	1.71 CHF	17.10 CHF
	1.06 CHF	106.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	1.06 CHF	265.00 CHF
	0.92 CHF	460.00 CHF
	0.888 CHF	888.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD19531Q5A

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1.84 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD19531Q5A

Beschreibung:

MOSFETs 100V 5.3mOhm Pwr MOS FET A 595-CSD19531Q A 595-CSD19531Q5AT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Qg - Gate-Ladung:	37 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3.3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	5.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	82 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.8 ns
Serie:	CSD19531Q5A
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	18.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns
Gewicht pro Stück:	87,800 mg

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Models

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SPICE Models

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MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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