CSD19531KCS

Texas Instruments
595-CSD19531KCS
CSD19531KCS

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 100V 6.4mOhm Pwr MOS FET

ECAD Model:
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
200 A
7.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.7 V
38 nC
- 55 C
+ 175 C
179 W
Enhancement
NexFET
Tube
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 4.1 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 7.2 ns
Serie: CSD19531KCS
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8.4 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99