CSD18540Q5B

Texas Instruments
595-CSD18540Q5B
CSD18540Q5B

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18540Q5BT

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Menge Stückpreis
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Gurtabschnitt / MouseReel™
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CHF 1.59 CHF 15.90
CHF 1.11 CHF 111.00
CHF 0.932 CHF 466.00
CHF 0.916 CHF 916.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.788 CHF 1 970.00
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Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Preis:
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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
41 nC
- 55 C
+ 150 C
188 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Entwicklungs-Kit: BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM
Abfallzeit: 3 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 9 ns
Serie: CSD18540Q5B
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 6 ns
Gewicht pro Stück: 120.600 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
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TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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