CSD18511KTT

Texas Instruments
595-CSD18511KTT
CSD18511KTT

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTTT

ECAD Model:
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Gurtabschnitt / MouseReel™
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CHF 1.30 CHF 13.00
CHF 0.883 CHF 88.30
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CHF 0.651 CHF 325.50
CHF 0.579 CHF 579.00
CHF 0.545 CHF 1 362.50
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
194 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 249 S
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 6 ns
Serie: CSD18511KTT
Verpackung ab Werk: 500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8 ns
Gewicht pro Stück: 4 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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