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CSD18510Q5B

Name: Texas Instruments CSD18510Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18510Q5B
Price: 2.41 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18510Q5B

Herst.- Nr.:

CSD18510Q5B

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5BT

Datenblatt:

CSD18510Q5B Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.41 CHF	2.41 CHF
	1.56 CHF	15.60 CHF
	1.08 CHF	108.00 CHF
	0.872 CHF	436.00 CHF
	0.833 CHF	833.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.809 CHF	2 022.50 CHF
	0.771 CHF	7 710.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD18510Q5BT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

3.36 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD18510Q5BT

Beschreibung:

MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5B

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	200 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	153 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	156 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	15 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	147 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17 ns
Serie:	CSD18510Q5B
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	44 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	120,700 mg

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CSD18510Q5B TINA-TI Reference Design

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
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TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

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