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CSD17581Q3AT

Name: Texas Instruments CSD17581Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17581Q3AT
Price: 1.45 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17581Q3AT

Herst.- Nr.:

CSD17581Q3AT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A A 595-CSD17581Q3A

Datenblatt:

CSD17581Q3AT Datenblatt

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-.-- CHF

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.45 CHF	1.45 CHF
	0.92 CHF	9.20 CHF
	0.532 CHF	53.20 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0.532 CHF	133.00 CHF
	0.456 CHF	228.00 CHF
	0.411 CHF	411.00 CHF
	0.396 CHF	990.00 CHF
	0.394 CHF	1 970.00 CHF
	0.38 CHF	3 800.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17581Q3A

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0.86 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD17581Q3A

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	54 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	63 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	78 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	23 ns
Serie:	CSD17581Q3A
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Gewicht pro Stück:	27,700 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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