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CSD17579Q3A

Name: Texas Instruments CSD17579Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17579Q3A
Price: 0.59 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17579Q3A

Herst.- Nr.:

CSD17579Q3A

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs CSD17579Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17579 A 595-CSD17579Q3AT

Datenblatt:

CSD17579Q3A Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.592	CHF 0.59
	CHF 0.364	CHF 3.64
	CHF 0.246	CHF 24.60
	CHF 0.191	CHF 95.50
	CHF 0.171	CHF 171.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.171	CHF 427.50
	CHF 0.152	CHF 760.00
	CHF 0.139	CHF 1 390.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17579Q3AT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.59

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD17579Q3AT

Beschreibung:

MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	39 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V
Qg - Gate-Ladung:	15 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	29 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	TPS25741EVM-802, TPS25741AEVM-802
Abfallzeit:	1 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	37 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	CSD17579Q3A
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2 ns
Gewicht pro Stück:	27.300 mg

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Datenblatt

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Models

CSD17579Q3A Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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