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CSD17552Q3A

Name: Texas Instruments CSD17552Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17552Q3A
Price: 1.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17552Q3A

Herst.- Nr.:

CSD17552Q3A

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A A A 595-CSD17577Q3A

Datenblatt:

CSD17552Q3A Datenblatt

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.36 CHF	1.36 CHF
	0.857 CHF	8.57 CHF
	0.571 CHF	57.10 CHF
	0.449 CHF	224.50 CHF
	0.41 CHF	410.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.367 CHF	917.50 CHF
	0.349 CHF	1 745.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Beschreibung:

MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q3AT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	48 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	106 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.4 ns
Serie:	CSD17552Q3A
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.2 ns
Gewicht pro Stück:	27,800 mg

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

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