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CSD17483F4T

Name: Texas Instruments CSD17483F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17483F4T
Price: 1.17 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17483F4T

Herst.- Nr.:

CSD17483F4T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17483 A 595-CSD17483F4

Datenblatt:

CSD17483F4T Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.17 CHF	1.17 CHF
	0.741 CHF	7.41 CHF
	0.425 CHF	42.50 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0.425 CHF	106.25 CHF
	0.362 CHF	181.00 CHF
	0.325 CHF	325.00 CHF
	0.312 CHF	780.00 CHF
	0.306 CHF	1 530.00 CHF
	0.303 CHF	3 030.00 CHF
	0.287 CHF	7 175.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17483F4

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0.30 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD17483F4

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD17483F4T A A 595-CSD17483F4T

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	230 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	850 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.01 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.3 ns
Serie:	CSD17483F4
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10.6 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3.3 ns
Gewicht pro Stück:	0,400 mg

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CSD17483F4T Datenblatt

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Function Diagram

PCN

SPICE Models

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

CSD17483F4 FemtoFET MOSFET

Die FemtoFET-MOSFET-Technologie von Texas Instruments ist dafür ausgelegt und optimiert, den Footprint in vielen tragbaren und Mobilfunkanwendungen zu minimieren. Diese Technologie kann Standard-MOSFETS für kleine Signale ersetzen, während sie eine Reduzierung von wenigstens 60 % der Größe des Footprints bietet.
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FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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