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CSD17381F4T

Name: Texas Instruments CSD17381F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17381F4T
Price: 1.13 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17381F4T

Herst.- Nr.:

CSD17381F4T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17381 A 595-CSD17381F4

Datenblatt:

CSD17381F4T Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.13	CHF 1.13
	CHF 0.711	CHF 7.11
	CHF 0.472	CHF 47.20
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 0.472	CHF 118.00
	CHF 0.373	CHF 186.50
	CHF 0.335	CHF 335.00
	CHF 0.308	CHF 770.00
	CHF 0.278	CHF 1 390.00
	CHF 0.269	CHF 2 690.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17381F4

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 0.32

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD17381F4

Beschreibung:

MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	109 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	850 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.04 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.8 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.4 ns
Serie:	CSD17381F4
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	10.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3.4 ns
Gewicht pro Stück:	0.400 mg

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CSD17381F4T Datenblatt

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ECCN:: EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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