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CSD15571Q2

Name: Texas Instruments CSD15571Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD15571Q2
Price: 0.5 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD15571Q2

Herst.- Nr.:

CSD15571Q2

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

Datenblatt:

CSD15571Q2 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.502 CHF	0.50 CHF
	0.31 CHF	3.10 CHF
	0.199 CHF	19.90 CHF
	0.15 CHF	75.00 CHF
	0.134 CHF	134.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.114 CHF	342.00 CHF
	0.104 CHF	624.00 CHF
	0.095 CHF	855.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	22 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V
Qg - Gate-Ladung:	5.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4.1 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	25 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17.2 ns
Serie:	CSD15571Q2
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	9.9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4.7 ns
Gewicht pro Stück:	5,600 mg

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CNHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

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