CSD13381F4T

Texas Instruments
595-CSD13381F4T
CSD13381F4T

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4

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CHF 0.278 CHF 69.50
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Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
12 V
2.1 A
180 mOhms
- 8 V, 8 V
850 mV
1.06 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 3.2 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 1.5 ns
Serie: CSD13381F4
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 3.7 ns
Gewicht pro Stück: 0.400 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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