CSD13380F3T

Texas Instruments
595-CSD13380F3T
CSD13380F3T

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3

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0.408 CHF 102.00 CHF
0.348 CHF 174.00 CHF
0.311 CHF 311.00 CHF
0.298 CHF 745.00 CHF
0.293 CHF 1 465.00 CHF
0.289 CHF 2 890.00 CHF
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Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
12 V
3.6 A
76 mOhms
- 8 V, 8 V
550 mV
1.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 4.3 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 4 ns
Serie: CSD13380F3
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4 ns
Gewicht pro Stück: 0,300 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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