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CSD13201W10

Name: Texas Instruments CSD13201W10
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13201W10
Price: 0.48 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD13201W10

Herst.- Nr.:

CSD13201W10

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET

Datenblatt:

CSD13201W10 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.486	CHF 0.49
	CHF 0.296	CHF 2.96
	CHF 0.194	CHF 19.40
	CHF 0.142	CHF 71.00
	CHF 0.126	CHF 126.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.108	CHF 324.00
	CHF 0.098	CHF 588.00
	CHF 0.085	CHF 765.00
	CHF 0.078	CHF 1 872.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	34 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	650 mV
Qg - Gate-Ladung:	2.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	23 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.9 ns
Serie:	CSD13201W10
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	14.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3.9 ns
Gewicht pro Stück:	1.100 mg

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CSD13201W10 PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
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MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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