BQ500101DPCT

Texas Instruments
595-BQ500101DPCT
BQ500101DPCT

Herst.:

Beschreibung:
Kabellose Lade-ICs NexFET Power Stage A 595-BQ500101DPCR A A 595-BQ500101DPCR

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 926

Lagerbestand:
926
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
4 250
erwartet ab 10.04.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
18
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 1.77 CHF 1.77
CHF 1.30 CHF 13.00
CHF 1.19 CHF 29.75
CHF 1.06 CHF 106.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
CHF 0.932 CHF 233.00
CHF 0.923 CHF 461.50
CHF 0.907 CHF 907.00
CHF 0.883 CHF 2 207.50
CHF 0.867 CHF 4 335.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 1.53
Min:
1

Ähnliches Produkt

Texas Instruments BQ500101DPCR
Texas Instruments
Kabellose Lade-ICs NexFET Power Stage 8 -VSON-CLIP -40 to 1 A 595-BQ500101DPCT

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Kabellose Lade-ICs
RoHS:  
REACH - SVHC:
WPC 1.2
Transmitters
10 A
24 V
2 mA
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Wireless Charging ICs
Serie: BQ500101
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Wireless Charging
Handelsname: NexFET
Gewicht pro Stück: 50.300 mg
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET Leistungsstufen-ICs

Texas Instruments NexFET Leistungsstufen-ICs sind optimierte Treiber-ICs mit NexFET Dual-MOSFETs, die im Bauteil verwendet werden. Dadurch wird in einem typischen Hochstrom-POL-Design ein höherer Wirkungsgrad ermöglicht. Diese Bauteile mit extrem niedrigen Qg und Qgd ermöglichen gegenüber Bauteilen von Mitbewerbern eine höhere Schaltfrequenz mit bis zu doppelter Frequenz für den gleichen Leistungsverlust. Dadurch wird das Einschwingverhalten für eine geringere Anzahl erforderlicher Ausgangskondensatoren verbessert. Die Größe der Ausgangsfilter (Kondensatoren und Induktivität) verringert sich um die Hälfte. Sie sind mit einem einzigartigen Erdungspad-Leiterrahmen und einer Pinbelegung ausgestattet, die das Layout des Kunden vereinfacht und die betriebliche sowie thermische Leistung verbessert. Sie werden in einem kleineren Gehäuse als typische diskrete Lösungen angeboten, wodurch Platzeinsparungen auf dem Board ermöglicht werden.