Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

TSM250N02DCQ RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM250N02DCQ RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM250N02DCQRFG
Price: 0.66 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-TSM250N02DCQRFG

Herst.- Nr.:

TSM250N02DCQ RFG

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 20V, 5.8A, Dual N-Channel Power MOSFET

Datenblatt:

TSM250N02DCQ RFG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 11 198

Lagerbestand:: 11 198 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0.666 CHF	0.67 CHF
	0.411 CHF	4.11 CHF
	0.266 CHF	26.60 CHF
	0.205 CHF	102.50 CHF
	0.184 CHF	184.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.158 CHF	474.00 CHF
	0.157 CHF	1 413.00 CHF
	0.142 CHF	3 408.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TDFN-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	5.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	20 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	400 mV
Qg - Gate-Ladung:	7.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	620 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	7.6 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11.6 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23.9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4.1 ns
Artikel # Aliases:	TSM250N02DCQ
Gewicht pro Stück:	61,816 mg