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TQM2N7002KDCU6 RFG

Name: Taiwan Semiconductor TQM2N7002KDCU6 RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TQM2N7002KDCU6RF
Price: 0.26 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-TQM2N7002KDCU6RF

Herst.- Nr.:

TQM2N7002KDCU6 RFG

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 60V, 0.33A, Dual N-Channel Small-signal MOSFETs

Datenblatt:

TQM2N7002KDCU6 RFG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.269 CHF	0.27 CHF
	0.167 CHF	1.67 CHF
	0.105 CHF	10.50 CHF
	0.077 CHF	38.50 CHF
	0.073 CHF	73.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.057 CHF	171.00 CHF
	0.051 CHF	306.00 CHF
	0.043 CHF	387.00 CHF
	0.042 CHF	1 008.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	330 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	1.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	337 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	7.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.9 ns
Gewicht pro Stück:	7 mg

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Konformitätscodes

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.