MPT100C6K8F

Name: TE Connectivity MPT100C6K8F
Brand: TE Connectivity / Holsworthy
SKU: 279-MPT100C6K8F
Price: 20.22 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

279-MPT100C6K8F

Herst.- Nr.:

MPT100C6K8F

Herst.:

TE Connectivity / Holsworthy

Beschreibung:

Dickfilmwiderstände - Durchgangsloch MPT100 6K8 1%

Datenblatt:

MPT100C6K8F Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	TE Connectivity
Produktkategorie:	Dickfilmwiderstände - Durchgangsloch
RoHS:
Serie:	CGS MPT
Widerstand:	6.8 kOhms
Nennleistung:	100 W
Abweichungstoleranz:	1 %
Temperaturkoeffizient:	50 PPM / C
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Nennspannung:	700 V
Länge:	20.96 mm
Montage:	Radial
Verpackung:	Tube
Höhe:	4.69 mm
Leiter-Abstand:	10.41 mm
Produkt:	Thick Film Resistors Leaded
Typ:	Power Resistor
Breite:	16.01 mm
Marke:	TE Connectivity / Holsworthy
Montageart:	PCB Mount
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-2
Produkt-Typ:	Thick Film Resistors
Verpackung ab Werk:	35
Unterkategorie:	Resistors
Technologie:	Thick Film
Artikel # Aliases:	7-2176429-7

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Datenblatt

MPT100C6K8F Datenblatt

RoHS Certificate (PDF)

CAHTS:: 8533290000
USHTS:: 8533290000
JPHTS:: 853329000
KRHTS:: 8533299000
TARIC:: 8533290000
MXHTS:: 8533299900
BRHTS:: 85332900
ECCN:: EAR99

MPT Hochleistungs-Dickfilmwiderstände

Die MPT Hochleistungs-Dickfilmwiderstände von TE Connectivity (TE) bieten eine Durchschlagfestigkeit von 1.800 V_AC, einen Isolierwiderstand von 10 GΩ und einen Betriebstemperaturbereich von -65 °C bis +150 °C. Die MPT35 Widerstände bieten eine Nennleistung von bis zu 35 W, während die MPT100 Widerstände bis zu 100 W bieten. Diese Widerstände verfügen über eine kleine Größe, ein einfach zu montierendes Design und ein isoliertes geformtes Gehäuse. Die MPT Hochleistungs-Dickfilmwiderstände von TE sind eine ideale Lösung für kleine Snubber-Schaltungen, die Ausgangsseite von Hochgeschwindigkeits-Impulsgeneratoren und niedrige induktive Widerstandsanforderungen in Schaltnetzteilen.