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STW75N60M6-4

Name: STMicroelectronics STW75N60M6-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW75N60M6-4
Price: 4.41 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STW75N60M6-4

Herst.- Nr.:

STW75N60M6-4

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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Datenblatt:

STW75N60M6-4 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	72 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	36 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.25 V
Qg - Gate-Ladung:	106 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	446 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	Mdmesh M6
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N Channel
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

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PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MDmesh™ DM6 600-V-Super-Junction-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM6 600V-Super-Junction-MOSFETs sind für ZVS-, Vollbrücken- und Halbbrücken-Topologien optimiert. Mit einer Durchlassspannung von 600 V kombinieren die MDmesh DM6 Leistungs-MOSFETs ein optimiertes Kapazitätsprofil mit Lebensdauertotzeitverfahren. Die MDmesh DM6 MOSFETs bieten eine niedrige Gate-Ladung (Q_g), sehr niedrige Freilaufladung (Q_rr), langsame Recoveryzeit (t_rr) und einen hervorragenden-R_DS(on) pro Bereich.