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STW56N65DM2

Name: STMicroelectronics STW56N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW56N65DM2
Price: 8.89 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STW56N65DM2

Herst.- Nr.:

STW56N65DM2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

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Datenblatt:

STW56N65DM2 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	48 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	58 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	88 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	360 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	7.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	31 ns
Serie:	STW56N65DM2
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	157 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

STW56N65DM2 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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