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STU6N60M2

Name: STMicroelectronics STU6N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU6N60M2
Price: 1.64 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STU6N60M2

Herst.- Nr.:

STU6N60M2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

STU6N60M2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1.64 CHF	1.64 CHF
	1.05 CHF	10.50 CHF
	0.694 CHF	69.40 CHF
	0.569 CHF	284.50 CHF
	0.515 CHF	515.00 CHF
	0.452 CHF	1 356.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-251-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	60 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	22.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.4 ns
Serie:	STU6N60M2
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.5 ns
Gewicht pro Stück:	340 mg

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Datenblatt

STU6N60M2 Datenblatt (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-4-3 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.